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型號:PUME-FU-DA
◆LED/LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含:
 。S劑-表面處理劑
 。X劑-金屬錯合劑
 。R劑-濃度平衡劑
 。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性:耐高溫,適合高溫操作(50~70度),可改善粗化片之黑白電極色差現象
型號:PUME-FU-DA Plus
◆LED/LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含:
 。S劑-表面處理劑
 。X劑-金屬錯合劑
 。R劑-濃度平衡劑
 。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性:適合低溫操作(40~60度),鍍金速率較快,穩定性較高,壽命長,可同時改善粗化片與平面片與PSS片之黑白電極色差現象
型號:PUME-FU-DA Mida
◆LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含:
 。S劑-表面處理劑
 。X劑-金屬錯合劑
 。R劑-濃度平衡劑
 。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性:適合低溫操作(40~60度),適用於大面積鍍金與細線寬鍍金,可大幅提升鍍金厚度均勻性以及邊導角厚度差異,鍍金厚度若為40000埃,均勻性可控制在500埃以內,針對開口為1微米以內的開孔或線寬,可以達到鍍金圖案完整。
型號:PUME-FU-DA PR
◆LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含:
 。S劑-表面處理劑
 。X劑-金屬錯合劑
 。R劑-濃度平衡劑
 。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性:適合低溫操作(40~60度),適用於表面有光阻結構之產品。
型號:PUME-FU-DA AE
◆LED/LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含:
 。S劑-表面處理劑
 。X劑-金屬錯合劑
 。R劑-濃度平衡劑
 。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性:耐高溫,適合高溫操作(50~70度),針對底材含有Cu/Al/Fe/Ni/Zn/Ag之表面可以具有抗腐蝕及抗氧化功能

型號:PUME-FU-DA ITG
◆LED/LD/Solar wafer/PowerChip/光通訊/半導體用無電化學離子鍍金藥水
◆為亞硫酸系統不含氰化物
◆使用上包含:
 。S劑-表面處理劑
 。X劑-金屬錯合劑
 。R劑-濃度平衡劑
 。M01劑-亞硫酸錯合物
※特性:耐高溫,適合高溫操作(50~70度),穩定性較高,壽命長,針對底材含有Cu/Al/Fe/Ni/Zn/Ag之表面可以具有抗腐蝕及抗氧化功能,適用於表面有光阻結構之產品
本公司為此產品與製程之發明法人,擁有製程專利,為業界技術領先者以及市佔率第一,量產技術成熟,並因為開發此技術榮獲經濟部SBIR專案補助(小型企業創新研發專案),一年金額330萬,專案名稱:LED無電化學離子鍍金製程與設備開發案,同時因為執行結果與進度優良,獲經濟部提報為2010年績效優良廠商,詳細技術資料請參考技術專區-無電化學離子鍍金製程介紹。

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